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2025-07-17 2025-06-26 產(chǎn)品中心/ products
??渦流法方阻測(cè)試儀的方阻是指一個(gè)正方形?薄膜導(dǎo)電材料邊到邊的電阻?，也稱為方塊電阻或?膜電阻。方阻是衡量薄膜狀導(dǎo)電材料（如?蒸發(fā)鋁膜、?導(dǎo)電漆膜、印制電路板銅箔膜等）厚度的一個(gè)參數(shù)，其大小與材料的電阻率和厚度有關(guān)。方阻的特性是，無論正方形的邊長(zhǎng)如何，其邊到邊的電阻值都是相同的。這意味著，不管正方形的邊長(zhǎng)是1米還是1毫米，其方阻值都是一樣的。方阻僅與導(dǎo)電膜的厚度和電阻率有關(guān)，與樣品的尺寸無關(guān)。
產(chǎn)品型號(hào)：廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家更新時(shí)間：2025-06-26訪 問 量：1536
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??方阻是指一個(gè)正方形?薄膜導(dǎo)電材料邊到邊的電阻?，也稱為方塊電阻或?膜電阻。方阻是衡量薄膜狀導(dǎo)電材料（如?蒸發(fā)鋁膜、?導(dǎo)電漆膜、印制電路板銅箔膜等）厚度的一個(gè)參數(shù)，其大小與材料的電阻率和厚度有關(guān)。?
特性：
方阻的特性是，無論正方形的邊長(zhǎng)如何，其邊到邊的電阻值都是相同的。這意味著，不管正方形的邊長(zhǎng)是1米還是1毫米，其方阻值都是一樣的。方阻僅與導(dǎo)電膜的厚度和電阻率有關(guān)，與樣品的尺寸無關(guān)。
描述：
渦流法方阻測(cè)試儀主要利用渦電流測(cè)試原理，非接觸測(cè)試半導(dǎo)體材料，石墨烯，透明導(dǎo)電膜，碳納米管，金屬等材料的方阻（電阻率）。可實(shí)現(xiàn)單點(diǎn)測(cè)試，亦可以實(shí)現(xiàn)面掃描的測(cè)試功能，可用于材料研發(fā)及工藝的監(jiān)測(cè)及質(zhì)量控制。
特點(diǎn)：
本儀器為非接觸，非損傷測(cè)試，具有測(cè)試速度快，重復(fù)性佳，測(cè)試敏感性高，可以直接測(cè)試產(chǎn)品片。
渦流法方阻測(cè)試儀技術(shù)參數(shù)：
| 參數(shù) | 探頭 | 方阻范圍 | 電阻率范圍 | 測(cè)試方法 |
量程 | 低阻探頭 | 0.005-1Ω/sq | 0.25-50mΩ·cm | 渦流法， 非接觸式 |
中阻探頭 | 0.05-10Ω/sq | 2.5-500mΩ·cm | ||
高阻探頭 | 10-3000Ω/sq | 0.5-150Ω·cm | ||
錠探頭 | 0.01-2Ω·cm | |||
重復(fù)性 | ＜0.2%(≤50%量程范圍） | ＜0.5%(>50%量程范圍） | ||
準(zhǔn)確度 | ＜±3%(≤50%量程范圍） | ＜±3%(>50%量程范圍） | ||
探頭信息 | 探頭類型：雙探頭（上下探頭，間距2-3mm） 探頭直徑：外徑20mm，內(nèi)徑14mm（有效測(cè)試部分） | |||
坐標(biāo)設(shè)置 | 任意坐標(biāo)設(shè)置 | |||
存儲(chǔ)數(shù)據(jù) | 數(shù)據(jù)庫內(nèi)部存儲(chǔ)（可導(dǎo)出表格文件） PDF測(cè)試報(bào)告，含測(cè)試信息（時(shí)間、操作員）、wafer信息（編號(hào)、尺寸、厚度），數(shù)據(jù)信息（測(cè)試點(diǎn)數(shù)，**值，最小值，平均值，相對(duì)標(biāo)準(zhǔn)偏差等），等高線圖，曲面圖等。 CSV表格數(shù)據(jù)可存儲(chǔ)至遠(yuǎn)端服務(wù)器，可根據(jù)客戶需求修改相關(guān)報(bào)告信息 | |||
WAFER信息 | 尺寸：2"-8"（英寸） 厚度：100-1500μm | |||
系統(tǒng)要求 | 供電：AC220V,50/60Hz；功率：600W；環(huán)境：溫度24℃±10℃ 相對(duì)濕度：20%-80%RH；尺寸：975*465*425(mm)；壽命：>10年 | |||
渦流法原理：
當(dāng)載有交變電流的檢測(cè)線圈靠近被測(cè)導(dǎo)體，由于線圈上交變磁場(chǎng)的作用，被測(cè)導(dǎo)體感應(yīng)出渦流并產(chǎn)生與原磁場(chǎng)方向相反的磁場(chǎng)，部分抵消原磁場(chǎng)，導(dǎo)致檢測(cè)線圈電阻和電感變化。
電阻率=方阻×Wafer厚度
方阻和V具有關(guān)系
電阻率是用來表示物質(zhì)電阻特性的物理量，是材料本身的電學(xué)性質(zhì)。
適用材料：
材料 | 電阻率 | 方阻 |
Silicon wafer | Y | Y |
SiC wafer / Ingot | Y | Y |
GaO wafer / Ingot | Y | Y |
GaN wafer 2DEGI | Y | Y |
GaAs 2EDG | Y | |
IGZO/LTPS/ITO | Y | |
TCO(Touch panel) | Y | |
Graphene | Y | |
Metal film | Y |
穩(wěn)定性
相對(duì)標(biāo)準(zhǔn)偏差=0.0150%@中點(diǎn)15次重復(fù)性
方阻Mapping55點(diǎn)測(cè)試報(bào)告
報(bào)告時(shí)間 | 2023/10/26 13:51 | 測(cè)試樣本數(shù) | 55 |
分析時(shí)間 | 2023/10/26 13:47 | **電阻率 | 0.0232 |
操作員ID | admin | 最小電阻率 | 0.02277 |
批次ID | 0 | 平均電阻率 | 0.02293 |
樣片ID | A-1-55 | 標(biāo)準(zhǔn)偏差 | 0.000111 |
尺寸規(guī)格 | 100mm | 相對(duì)標(biāo)準(zhǔn)偏差 | 0.4861% |
動(dòng)態(tài)重復(fù)性逐點(diǎn)（38點(diǎn)坐標(biāo)）一致性數(shù)據(jù)如下(樣品面的測(cè)量5次)
一 | 二 | 三 | 四 | 五 | 重復(fù)性 | Max | |
1 | 0.12459 | 0.12466 | 0.12467 | 0.12471 | 0.12472 | 0.0413% | 0.0703% |
2 | 0.12347 | 0.12351 | 0.12356 | 0.12358 | 0.12362 | 0.0477% | |
3 | 0.12315 | 0.12321 | 0.12323 | 0.12326 | 0.12329 | 0.0431% | |
4 | 0.12389 | 0.12398 | 0.124 | 0.12402 | 0.12405 | 0.0489% | |
5 | 0.12421 | 0.12424 | 0.12428 | 0.12438 | 0.12441 | 0.0703% | |
6 | 0.12396 | 0.12403 | 0.12406 | 0.12408 | 0.12412 | 0.0484% | |
7 | 0.12387 | 0.12389 | 0.12398 | 0.124 | 0.12403 | 0.0566% | |
8 | 0.12482 | 0.12486 | 0.1249 | 0.12493 | 0.12496 | 0.0444% | |
9 | 0.12431 | 0.12434 | 0.1244 | 0.12447 | 0.12451 | 0.0679% | |
10 | 0.12429 | 0.12435 | 0.12438 | 0.12442 | 0.12445 | 0.0500% | |
11 | 0.12372 | 0.12378 | 0.1238 | 0.12383 | 0.12386 | 0.0429% | |
12 | 0.12381 | 0.12389 | 0.12392 | 0.12393 | 0.12396 | 0.0462% | |
13 | 0.1237 | 0.12374 | 0.1238 | 0.12381 | 0.12385 | 0.0481% | |
14 | 0.12386 | 0.12394 | 0.12396 | 0.12399 | 0.12403 | 0.0512% | |
15 | 0.12394 | 0.124 | 0.12404 | 0.12407 | 0.12409 | 0.0482% | |
16 | 0.12496 | 0.125 | 0.12504 | 0.12507 | 0.12509 | 0.0421% | |
17 | 0.1245 | 0.12454 | 0.12452 | 0.12464 | 0.12465 | 0.0562% | |
18 | 0.12414 | 0.12418 | 0.12422 | 0.12425 | 0.12427 | 0.0424% | |
19 | 0.12392 | 0.12396 | 0.124 | 0.12404 | 0.12406 | 0.0462% | |
20 | 0.12487 | 0.12491 | 0.12496 | 0.12501 | 0.12501 | 0.0495% | |
21 | 0.12355 | 0.1236 | 0.12363 | 0.12367 | 0.12372 | 0.0526% | |
22 | 0.12402 | 0.12409 | 0.12412 | 0.12415 | 0.12417 | 0.0473% | |
23 | 0.12442 | 0.12444 | 0.12453 | 0.12456 | 0.12458 | 0.0578% | |
24 | 0.12419 | 0.12423 | 0.12428 | 0.12431 | 0.12434 | 0.0486% | |
25 | 0.12388 | 0.12395 | 0.12396 | 0.12398 | 0.12403 | 0.0438% | |
26 | 0.12501 | 0.12505 | 0.12509 | 0.12512 | 0.12516 | 0.0468% | |
27 | 0.1244 | 0.12444 | 0.12453 | 0.12453 | 0.12458 | 0.0592% | |
28 | 0.12441 | 0.12445 | 0.12452 | 0.12453 | 0.12457 | 0.0519% | |
29 | 0.12385 | 0.12389 | 0.12393 | 0.12396 | 0.124 | 0.0473% | |
30 | 0.12379 | 0.12383 | 0.12385 | 0.12387 | 0.12392 | 0.0389% | |
31 | 0.12367 | 0.1237 | 0.12372 | 0.12374 | 0.12381 | 0.0425% | |
32 | 0.12393 | 0.12397 | 0.12402 | 0.12403 | 0.12409 | 0.0492% | |
33 | 0.12394 | 0.12396 | 0.124 | 0.12405 | 0.12409 | 0.0502% | |
34 | 0.12506 | 0.12509 | 0.12514 | 0.12519 | 0.12521 | 0.0510% | |
35 | 0.12449 | 0.12452 | 0.12459 | 0.12465 | 0.12466 | 0.0610% | |
36 | 0.12423 | 0.12423 | 0.12431 | 0.12434 | 0.12436 | 0.0491% | |
37 | 0.12382 | 0.12386 | 0.12386 | 0.12392 | 0.12395 | 0.0421% | |
38 | 0.12494 | 0.12497 | 0.12502 | 0.12508 | 0.12508 | 0.0507% |
不同阻值穩(wěn)定性測(cè)試如下（1000個(gè)數(shù)據(jù)分統(tǒng)計(jì)）
真實(shí)值 | 靜態(tài) | 動(dòng)態(tài) | |
穩(wěn)定性 | 0.1013 | 0.05% | 0.05% |
0.1596 | 0.04% | 0.04% | |
0.2884 | 0.05% | 0.06% | |
0.5657 | 0.07% | 0.05% | |
0.9746 | 0.07% | 0.08% | |
1.5941 | 0.11% | 0.09% | |
3.1808 | 0.16% | 0.27% | |
16.662 | 0.48% | 0.96% | |
56.4 | 0.03% | 0.05% | |
180.6 | 0.10% | 0.10% | |
264.4 | 0.10% | 0.16% | |
573.7 | 0.28% | 0.36% | |
750.9 | 0.34% | 0.43% |
憑借先進(jìn)的技術(shù)和豐富的產(chǎn)品線，已發(fā)展成為中國(guó)大陸少數(shù)具有一定國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力的半導(dǎo)體專用設(shè)備提供商，產(chǎn)品得到眾多國(guó)內(nèi)外主流半導(dǎo)體廠商的認(rèn)可，并取得良好的市場(chǎng)口碑。
主要應(yīng)用領(lǐng)域：碳化硅測(cè)試、氮化鎵測(cè)試、晶圓硅片測(cè)試、氧化鎵測(cè)試、金屬薄膜測(cè)試、玻璃測(cè)試、襯底和外延廠商、光伏電池片測(cè)試。
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