硅片方阻電阻率

晶圓電阻率測試儀，硅片電阻率測試儀，渦流法低電阻率分析儀，晶錠電阻率分析儀，遷移率（霍爾）測試儀，少子壽命測試儀，為晶圓、碳化硅、硅片、封裝測試等生產和品質監控，提供一整套完整測試和解決方案。

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專注于非接觸式半導體計量分析技術的開發和生產，攻克被國外卡脖子技術。

產品廣泛應用于半導體、光伏、科研以及平板材料測試領域。借助公司*計量分析測試技術，為晶圓、碳化硅、硅片、封裝測試等生產和品質監控，提供一整套完整測試和解決方案。

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一、

晶圓電阻率測試儀

硅片方阻測試儀

渦流法低電阻率分析儀

晶錠電阻率分析儀

非接觸少子壽命

參數	方阻	電阻率（厚度180um）		方法
探頭量程	1-600Ω/¨	0.018-10.8 Ω?cm		渦流法
探頭性能	動態重復性		靜態重復性	示值誤差
	1-80Ω/¨（0.018 - 1.44Ω?cm） < 0.2%		<0.01%	±1%
	80-120Ω/¨（1.44 - 2.16Ω?cm） < 0.3%
	120-300Ω/¨（2.16 - 5.4Ω?cm） < 0.5%
	300-600Ω/¨（5.4 - 10.8Ω?cm）< 1%
外形尺寸	上探頭Ф20*145mm		下探頭Ф20*50mm
信號采集	采樣率：1500Sps
	采樣個數：512點/單次
	采樣緩存：8級數據記錄緩存
	數據傳輸：RS232 RS485CANTCP/IP
	傳輸協議：Modbus Rtu/ Modbus Tcp 用戶自定義協議等
供電電源	24V/1A

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