公司參與2025碳化硅襯底與外延產業調研調研書

更新時間：2025-11-22

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SiC調研書啟動調研??

九域半導體科技（蘇州）有限公司已參與《2025碳化硅襯底與外延產業調研書》的編寫工作。為半導體事業貢獻力量！！！

碳化硅（SiC）作為第三代半導體核心材料，憑借耐高溫、耐高壓、高導熱等優異物理特性，已成為新能源汽車、AI服務器、光伏儲能、5G通信等戰略領域的關鍵支撐材料。其熱導率高達490-500W/mK，是硅的3倍、陶瓷基板的2倍，寬禁帶特性使其在2000W高功率場景下仍能穩定工作，成為破解"算力耗電困局。

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